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半導體集成電路制造的重要設備之一，主要用于POLY, D-POLY, SiN,LP-TEOS；立式LPCVD采用鐘罩式結(jié)構(gòu)，設計嵌套腔體機械手傳片組件、舟旋轉(zhuǎn)組件，具有占地面積小、成膜均勻性高、工藝穩(wěn)定性高等優(yōu)點。

LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一，主要用于POLY, D-POLY, SiN,LP-TEOS。

專門用于硅碳化合物(SiC) 的離子激活和退火處理，可實現(xiàn)SiC片在高溫真空環(huán)境下完成活性工藝；設備適用于SiC基功率器件制造中的離子激活和退火工藝環(huán)節(jié)；加熱腔與工藝腔獨立密閉設計，提供工藝腔的潔凈度；

專用于硅-碳化合物(SiC）氧化處理，可實現(xiàn)SiC片高溫環(huán)境下完成高溫氧化工藝；設備適用于SiC功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節(jié)；加熱腔與工藝腔獨立密閉設計，提供工藝腔的潔凈度。

該設備是半導體生產(chǎn)線前工序的重要工藝設備之一，用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件等行業(yè)的磷/硼擴散、氧化、退火、合金和燒結(jié)等工藝；主要用于初始氧化層、柵氧化層、場氧化層等多種氧化介質(zhì)層的制備工藝。

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