產(chǎn)品展示
本設(shè)備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長(zhǎng)；還可用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）、 磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等外延生長(zhǎng)。
本設(shè)備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長(zhǎng)；還可用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）、 磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等外延生長(zhǎng)。
本設(shè)備是將SiC籽晶通過(guò)有機(jī)膠粘接在石墨上。提高籽晶粘接質(zhì)量是保證高 品質(zhì)SiC晶體生長(zhǎng)的首要前提。
本設(shè)備主要用于碳化硅（SiC）、氮化鋁（AIN）單晶生長(zhǎng)。
本設(shè)備主要用于碳化硅（SiC）、氮化鋁（AIN）單晶生長(zhǎng)。
液相法可以在更低的溫度（＜2000℃）以下實(shí)現(xiàn)SiC單晶的生長(zhǎng)，理論上更容易獲得高質(zhì)量的單晶。利用溫度梯度作為生長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體的生長(zhǎng)。
LPCVD設(shè)備是半導(dǎo)體集成電路制造的重要設(shè)備之一，主要用于Poly, D/P Poly, SiN,SiO2薄膜的生長(zhǎng)。
? 微波等離子化學(xué)氣相沉積技術(shù)(MPCVD) , 通過(guò)等離子增加前驅(qū)體的反應(yīng)速率,降低反應(yīng)溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結(jié)晶形態(tài)好的高質(zhì)量的金剛石單晶和多晶薄膜
專用于硅-碳化合物(SiC）氧化處理，可實(shí)現(xiàn)SiC片高溫環(huán)境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用O2,O2/H2，N2O，NO是最安全的毒性氣體氧化爐，設(shè)備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節(jié)，加熱腔與工藝腔獨(dú)立密閉設(shè)計(jì)，提供工藝腔的潔凈度。
氮化鎵（GaN）HVPE單晶生長(zhǎng)設(shè)備 臥式
? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長(zhǎng) ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長(zhǎng)
氮化鎵（GaN）HVPE單晶生長(zhǎng)設(shè)備 立式
? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長(zhǎng) ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長(zhǎng)
? 本設(shè)備主要用于碳化硅(SiC) 、氮化鋁(AIN) 單晶生長(zhǎng)