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山東力冠微電子裝備

產(chǎn)品展示


SiC高溫退火爐

專門用于硅碳化合物(SiC) 的離子激活和退火處理,可實現(xiàn)SiC片在高溫真空環(huán)境下完成活性工藝; 設(shè)備適用于SiC基功率器件制造中的離子激活和退火工藝環(huán)節(jié); 加熱腔與工藝腔獨(dú)立密閉設(shè)計,提供工藝腔的潔凈度;

SiC高溫氧化爐

專用于硅-碳化合物(SiC)氧化處理,可實現(xiàn)SiC片高溫環(huán)境下完成高溫氧化工藝; 設(shè)備適用于SiC功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節(jié); 加熱腔與工藝腔獨(dú)立密閉設(shè)計,提供工藝腔的潔凈度。

臥式爐

該設(shè)備是半導(dǎo)體生產(chǎn)線前工序的重要工藝設(shè)備之一,用于大規(guī)模集成電路、 分立器件、電力電子、光電器件等行業(yè)的磷/硼擴(kuò)散、氧化、退火、合金和燒結(jié)等工藝; 主要用于初始氧化層、柵氧化層、場氧化層等多種氧化介質(zhì)層的制備工藝。

立式爐

該設(shè)備是半導(dǎo)體生產(chǎn)線前工序的重要工藝設(shè)備之一,用于大規(guī)模集成電路、 分立器件、電力電子、光電器件等行業(yè)的磷/硼擴(kuò)散、氧化、退火、合金和燒結(jié)等工藝 ; 主要用于初始氧化層、柵氧化層、場氧化層等多種氧化介質(zhì)層的制備工藝。

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