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山東力冠微電子裝備

產(chǎn)品展示


SiC籽晶粘接設(shè)備

本設(shè)備是將SiC籽晶通過有機膠粘接在石墨上。提高籽晶粘接質(zhì)量是保證高 品質(zhì)SiC晶體生長的首要前提。

PVT法長晶爐——電阻爐

本設(shè)備主要用于碳化硅(SiC)、氮化鋁(AIN)單晶生長。

PVT法長晶爐——感應(yīng)爐

本設(shè)備主要用于碳化硅(SiC)、氮化鋁(AIN)單晶生長。

液相法長晶爐

液相法可以在更低的溫度(<2000℃)以下實現(xiàn)SiC單晶的生長,理論上更容易獲得高質(zhì)量的單晶。利用溫度梯度作為生長驅(qū)動力來實現(xiàn)晶體的生長。

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