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本設備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長；還可用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）、 磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等外延生長。
本設備主要用于砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物晶體生長。設備由機架、安瓿支撐機構、加熱器和控制系統(tǒng)組成，能夠實現(xiàn)安瓿移動和轉動的精確控制。
本設備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長，將原料放在留有狹縫的模具中，熔液借虹吸作 用上升到模具頂部，受籽晶誘導結晶生長成單晶。
本設備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長；還可用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）、 磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等外延生長。
本設備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長；還可用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）、 磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等外延生長。
本設備是將SiC籽晶通過有機膠粘接在石墨上。提高籽晶粘接質量是保證高 品質SiC晶體生長的首要前提。
本設備主要用于碳化硅（SiC）、氮化鋁（AIN）單晶生長。
本設備主要用于碳化硅（SiC）、氮化鋁（AIN）單晶生長。
液相法可以在更低的溫度（＜2000℃）以下實現(xiàn)SiC單晶的生長，理論上更容易獲得高質量的單晶。利用溫度梯度作為生長驅動力來實現(xiàn)晶體的生長。