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本設(shè)備主要用于碳化硅（SiC）、氮化鋁（AIN）單晶生長。
本設(shè)備主要用于碳化硅（SiC）、氮化鋁（AIN）單晶生長。
液相法可以在更低的溫度（＜2000℃）以下實現(xiàn)SiC單晶的生長，理論上更容易獲得高質(zhì)量的單晶。利用溫度梯度作為生長驅(qū)動力來實現(xiàn)晶體的生長。