liguan1218@163.com
15562450816
中文 | English
網(wǎng)站首頁
關(guān)于我們
公司簡介
企業(yè)文化
專利證書
產(chǎn)品展示
半導(dǎo)體工藝設(shè)備
化合物半導(dǎo)體設(shè)備
新聞資訊
公司新聞
行業(yè)資訊
合作伙伴
工程團(tuán)隊(duì)
招賢納士
管理理念
加入力冠
聯(lián)系我們
English
產(chǎn)品分類
擴(kuò)散/氧化/退火
CVD設(shè)備
SiC單晶生長設(shè)備
GaN單晶生長設(shè)備
Ga2O3單晶生長設(shè)備
C單晶生長設(shè)備
聯(lián)系方式
地址：濟(jì)南市槐蔭區(qū)濟(jì)南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園
電話：15562450816
郵箱：liguan1218@163.com
MPCVD長晶爐
本設(shè)備主要是用于制備單晶金剛石?？杉ぐl(fā)高穩(wěn)定度的等離子團(tuán)，從而確保單晶生長的持續(xù)性，為合成大尺寸單晶金剛石提供有力保證。
在線留言
第一代半導(dǎo)體工藝設(shè)備
第三代半導(dǎo)體工藝設(shè)備
石墨烯薄膜設(shè)備
晶體生長設(shè)備
快速退火爐
Copyright ? 山東力冠微電子裝備有限公司
網(wǎng)站建設(shè)：中企動(dòng)力 濟(jì)南二分 | 標(biāo)簽 | 營業(yè)執(zhí)照 | 城市分站
