產(chǎn)品展示
產(chǎn)品分類
? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的氧化處理，可實(shí)現(xiàn)SiC片在高溫真空環(huán)境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用濕法氧化氣體或N2O、NO、NO2,是最安全的毒性氣體氧化爐 ? 設(shè)備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節(jié) ? 加熱腔與工藝腔獨(dú)立密閉設(shè)計(jì)，提供工藝腔的潔凈度
? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的離子激活和退火處理，可實(shí)現(xiàn)SiC片在高溫真空環(huán)境下完成活性工藝 ? 設(shè)備適用于SiC基功率器件制造中的離子激活和退火工藝環(huán)節(jié) ? 加熱腔與工藝腔獨(dú)立密閉設(shè)計(jì)，提供工藝腔的潔凈度
? LPCVD設(shè)備是半導(dǎo)體集成電路制造的重要設(shè)備之一， 主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生長(zhǎng),它是將原材料氣體(或者液態(tài)源氣化)用熱能激活發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而在基片表面生成固體薄膜，LPCVD過程是在低壓下進(jìn)行的，由于氣壓低，氣體分子平均自由程大，使生長(zhǎng)的薄膜均勻性好，此外基片可以豎放使得設(shè)備裝片量大，特別適用于工業(yè)化生產(chǎn)
? LPCVD設(shè)備是半導(dǎo)體集成電路制造的重要設(shè)備之一， 主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生長(zhǎng),它是將原材料氣體(或者液態(tài)源氣化)用熱能激活發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而在基片表面生成固體薄膜，LPCVD過程是在低壓下進(jìn)行的，由于氣壓低，氣體分子平均自由程大，使生長(zhǎng)的薄膜均勻性好，此外基片可以豎放使得設(shè)備裝片量大，特別適用于工業(yè)化生產(chǎn)
? PECVD主要應(yīng)用于氧化硅(SiO?) 和氮化硅(SiN4) 材料的薄膜生長(zhǎng)，工作原理是在低壓引入高頻射頻電源，采取電容耦合方式使工藝氣體電離放電，形成等離子體狀態(tài)，產(chǎn)生大量的活性基團(tuán)，這些活性基團(tuán)在襯底材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并沉積到襯底表面，生長(zhǎng)出氧化硅(SiO?) 或氮化硅(SiN4) 薄膜
? 該設(shè)備是半導(dǎo)體生產(chǎn)線前工序的重要工藝設(shè)備之一，用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件等行業(yè)的擴(kuò)散、氧化、退火、合金和燒結(jié)等工藝 ? 設(shè)計(jì)了硅片生產(chǎn)的多種工藝性能需要，具有生長(zhǎng)效率高、產(chǎn)品性能優(yōu)越的特點(diǎn) ? 具有污染低、占地面積小、溫度均勻、可裝載晶圓尺寸大、工藝穩(wěn)定性高等優(yōu)點(diǎn) ? 主要用于初始氧化層、屏蔽氧化層、襯墊氧化層、犧牲氧化層、場(chǎng)氧化層等多種氧化介質(zhì)層的制備工藝
◆ 主要用于半導(dǎo)體器件退火及燒結(jié)等工藝，可進(jìn)行真空、氣體保護(hù)等 ◆ 設(shè)備結(jié)構(gòu)新穎,操作方便 ◆ 在一臺(tái)設(shè)備上可以完成多個(gè)工藝流程
◆ 氣相外延是一種單晶薄層生長(zhǎng)方法 ◆ 氣相外延廣義上是化學(xué)氣相沉積的一種特殊方式，其生長(zhǎng)薄層的晶體結(jié)構(gòu)是單晶襯底的延續(xù)，而且與襯底的晶向保持對(duì)應(yīng)的關(guān)系 ◆ 在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用 ◆ 砷化蹤(GaAs)氣相外延技術(shù)生長(zhǎng)的砷化鯨(GaAs)純度高、電學(xué)特性好，廣泛的應(yīng)用于霍爾器件、耿氏二極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管等微波器件中